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浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室（簡稱聯(lián)合實驗室）傳出喜訊：經(jīng)過近兩年的努力，聯(lián)合實驗室首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶！

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