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碳化硅襯底
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8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底
8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底
直徑:(200.0± 0.2) mm
厚度:(500 ± 25) μm
導(dǎo)電類型:n-type
晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度
應(yīng)用方向:SiC同質(zhì)外延
產(chǎn)品類型:拋...
詳細
6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底
6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底
直徑:(150 ± 0.2) mm
厚度:(350 ± 25) μm
導(dǎo)電類型:n-type
晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度
應(yīng)用方向:SiC同質(zhì)外延
產(chǎn)品類型:拋...
詳細
碳化硅籽晶
碳化硅籽晶
直徑:200 mm 或 153 mm
厚度:500 μm 或 1.0 mm
導(dǎo)電類型:N型
晶面取向:(0001) 或者 偏角 0~6 度
應(yīng)用方向:應(yīng)用于6、8英寸晶體生長
...
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異型碳化硅襯底定制
異型碳化硅襯底定制
定制尺寸:10*10mm,20*20mm ,客戶定制等
厚度:350 μm 或 500 μm ,客戶定制等
導(dǎo)電類型:半絕緣型或者N型
晶面取向:(0001) 或者 ...
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4英寸半絕緣型4H-SiC襯底
4英寸半絕緣型4H-SiC襯底
直徑:(100.0 + 0.0/-0.5) mm
厚度:(500.0 ± 25.0) μm
導(dǎo)電類型:半絕緣
晶面取向:(0001)
應(yīng)用方向:GaN等異質(zhì)外延
產(chǎn)品類型:拋光片...
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